第六课习题

6.1  已知图所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b(c)所示。

    1)利用图解法求解Q点;


 2)利用等效电路法求解RiRo

 


    解:1)在转移特性中作直线uGS=-iDRS,与转移特性的交点即为Q点;读出坐标值,得出IDQ1mAUGSQ=-2V。如解图(a)所示。

解图P2.21

 

在输出特性中作直流负载线uDSVDDiDRDRS),与UGSQ=-2V的那条输出特性曲线的交点为Q点,UDSQ3V。如解图(b)所示。

2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。

           

 


6.2 已知图所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。求解电路的Q点和

 

 

 

解:1)求Q点:

根据电路图可知,    UGSQVGG3V

从转移特性查得,当UGSQ3V时的漏极电流

                  IDQ1mA

    因此管压降        UDSQVDDIDQRD5V

    2)求电压放大倍数:

                

 

6.3电路如图所示,已知场效应管的低频跨导为gm,试写出RiRo的表达式。

 

   解:RiRo的表达式分别为

          

 

                             

6.4 图中的哪些接法可以构成复合管?标出它们等效管的类型(如NPN型、PNP型、N沟道结型……)及管脚(becdgs)。

 

 

解:a)不能。    b)不能。  

c)构成NPN型管,上端为集电极,中端为基极,下端为发射极。

d)不能。      e)不能。 

    fPNP型管,上端为发射极,中端为基极,下端为集电极。

 g)构成NPN型管,上端为集电极,中端为基极,下端为                  发射极。

 

6.5

 改正图所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。

 

 

    解:a)源极加电阻RS

    b)漏极加电阻RD

    c)输入端加耦合电容。

    d)在Rg支路加-VGG,+VDD改为-VDD

改正电路如解图所示。