第四课习题

1． P沟道结场型场效应管处于放大状态时要求（A）

A.U_GS>0    B.U_GS=0     C.U_GS<0

2． 下图中，标有结型场效应管的夹断电压及各极电位值，其中工作在放大状态的是（B）

3． 表征场效应管放大能力的重要参数是（B）

A.夹断电压U_P    B.低频互导（跨导）g_m

C.饱和漏极电路I_DSS  D.最大栅源电压BU_GS

4． 场效应管从结构上看可以分成（B）和（A）两个类型，它们的导电过程仅取决于（C）载流子的流动。从这一点看它又称为单极型晶体管。

A.绝缘栅型    B.结型    C.多数     D.少数

5． 场效应管的输出特性曲线又称为漏极特性曲线。它是指（A）一定时，（B）和（C）之间的关系曲线，它可划分为可变电阻区、饱和区（恒流区）和击穿区三个区域。

A.栅源电压U_GS     B.漏极电流I_D   C.漏源电压U_DS

6． 场效应管用于放大时，一般都工作在饱和区（恒流区），场效应管的放大能力比三极管（A），直流输入电阻比三极管（B），极间电容比三极管（B）。

A.小得多    B.大得多

7． 场效应管的输入电阻比双极型三极管的输入电阻（A），所以输入电流近似为（B）。

A.大得多   B.零

8． 场效应管当U_GS＝0时，U_DG=︱U_P︱，这种情况称为（A），此时的I_D为漏极饱和电流。当U_DG≥︱U_P︱，U_GS=U_P时，这种情况称为（B），此时的I_D为零。

A.预夹断   B.全夹断

9． MOS管是用（A）、（B）和（C）材料制成的。按沟道类型分有N沟道和P沟道两类，其每一类又可分为耗尽型和增强型两种。

A.金属  B.氧化物   C.半导体   D.杂质

10． 使用场效应管时应特别注意对（A）极的保护，尤其是绝缘栅场效应管的不用时应将三个电极短接。

A.栅   B.基   C.集电

11． 有两个放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小，这说明A的（B）。（来源于《电子技术基础试题汇编，模拟部分，超星P40》,以下同）

A.输入电阻大   B.输入电阻小   C.输出电阻大    D.输出电阻小

12． 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kΩ的负载电阻后输出电压降为3V。这说明放大电路的输出电阻为（C）。

A.10kΩ    B.2kΩ     C.1kΩ   D. 0.5kΩ

13． 如图电路，该电路（A）

A.不能起放大作用；   B.能起放大作用但效果不好      C.能起放大作用且效果很好

14． 如图所示的晶体管放大电路中，设各电容都足够大，则该电路（C）

A. 电压放大倍数与C₃接入前相同

B. 电压放大倍数比C₃接入前略有减小

C. 没有放大作用

15． 图中电路能（B）。

A.能不失真地放大信号    B.不能正常放大

16． 图中电路能（B）。

A.能不失真地放大信号    B.不能正常放大

17． 图中电路能（B）。

A.能不失真地放大信号    B.不能正常放大

18． 图中电路能（A）。

A.能不失真地放大信号    B.不能正常放大

19． 图中电路能（A）。

A.能不失真地放大信号    B.不能正常放大

20． 图中电路能（A）。

A.能不失真地放大信号    B.不能正常放大