第三课习题
1． 用万用表判别处于放大状态的某个晶体三极管的类型（指NPN管或PNP管）与三个电极时，最方便的方法是测出（B）
A.各级间电阻 B.各级对地电位 C.各级的电流
2． 三极管的两个PN结均正偏或均反偏时，所对应的状态分别是（C）
A.截止或放大 B.截止或饱和 C.饱和或截止
3． 某只处于放大状态的三极管，各极电位分别是UK=6V、UB=5.3V、UC=1V，则该管是（B）
A.PNP锗管 B.PNP硅管 C.NPN硅管
4． 实践中，判断三极管是否饱和，最简单可靠的方法是测量（D）
A.IB B.IC C.UBE D.UCE
5． 检修设备时，测得三极管的UCE≈0.3V，则可能是（B）
A.RB开路 B.上偏置电阻RB太小 C. RC太小
6． 下图中，处于放大状态的三极管是（B）
7． 为使三极管处于放大状态，须使其（A）
A.发射结正偏、集电结反偏 B.发射结和集电结均正偏
8． 三极管的电流放大作用是用较小的（A）电流控制较大的（B）电流，所以三极管是一种电流控制元件。
A.基极 B.集电极 C.发射极
9． 温度升高时，三极管的电流放大系数β（A），方向饱和电流ICBO（A），发射结电压UBE(B)。
A.变大 B.变小 C.不变
10． 三极管具有电流放大作用的外部条件是（A）和（B）。
A.发射结正偏 B集电结反偏 C.发射结反偏 D.集电结均正偏
11． 三极管具有电流放大作用的工艺措施是：（A）区中掺杂浓度高，（B）结的面积大，（C）区很薄。
A.发射 B.集电 C.基
12． 某三极管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，U(BR)CEO=30V。若它工作时电压UCE=10V，则工作电流IC不得超过（A）mA，若工作电压UCE=1V，则工作电流不得超过（C）mA；若工作电流IC=1mA，则工作电压不得超过（B）V。
A.15 B.30 C.100 D.60
13． 三极管穿透电流ICEO是集－基反向饱和电流ICBO的（B）倍。在选用管子时，一般希望ICEO尽量（D）。
A. β B.1+β C.大 D.小
14． 用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（是NPN型还是PNP型）与三个电极时，以测出（B）最为方便。（电子技术基础试题汇编，模拟部分，P12，超星）
A.各极间电阻 B.各极对地电位 C. 各极电流
15． 在晶体管放大电路中，测得一个晶体管的各个电极的电位如图所示。则该晶体管是（A）。（来源同上）
A. NPN型硅管，①——e，②——b，③——c；
B. PNP型硅管，①——c，②——b，③——e；
C. PNP型锗管，①——c，②——e，③——b；
16． 在晶体管放大电路中，测得一个晶体管的各个电极的电位如图所示。则该晶体管是（B）。（来源同上）
A. NPN型硅管，①——e，②——b，③——c；
B. PNP型硅管，①——c，②——b，③——e；
C. PNP型锗管，①——c，②——e，③——b；
17． 在晶体管放大电路中，测得一个晶体管的各个电极的电位如图所示。则该晶体管是（C）。（来源同上）
A. NPN型硅管，①——e，②——b，③——c；
B. PNP型硅管，①——c，②——b，③——e；
C. PNP型锗管，①——c，②——e，③——b；
18． 在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图所示。已量出I1=-1.2mA，I2=-0.03mA，I3=1.23mA。由此可知：电极①是（A）极，电极②是（B）极，电极③是（C）极。（来源同上）
A. c B. b C.e
19． NPN型晶体管在（B）情况下IB=－IC？设电流正方向为流向电极。（来源同上）
A. 射极短路 B. 射极开路 C.集电极开路
20． 判断图中晶体三极管（硅管）的工作状态是（C）。
A.饱和 B.放大 C.截止 D.倒置
