第一课习题

1.       PN结施加反向电压时,参与导电的是(B

A.  多数载流子    B.   少数载流子     C.   既有多数载流子又有少数载流子

2.       当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量(A)

A.  增加    B.   减少    C.   不变

3.       用万用表的R×100Ω档和R×1kΩ档分别测量一个正常二极管的正向电阻,两次测试结果(C)

A.  相同    B.   第一次测试值比第二次大    C.   第一次测试值比第二次小

4.       两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来,可组成的稳压值有(C):

A.  两种    B.   三种    C.   四种

5.       在下图中,稳压管Vw1Vw2的稳压值分别是6V和7V,且工作在稳压状态,由此可知,输出电压Uo为(D):

A.  6V    B.   7V    C.   0V     D. 1V

6.       将一只稳压二极管和一只普通二极管串联后,可得到的稳压值是(A)

A.  两种    B.   三种    C.   四种

7.       半导体是一种导电能力介于(A )和(B )之间的物质。

A.  导体    B.   绝缘体    C.   化合物

8.       在本征半导体中,自由电子浓度( C)空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度(B )空穴浓度,在N型半导体中,自由电子浓度( A)空穴浓度。

A.  大于    B.   小于    C.   等于

9.       半导体中的电流是(B )与(A )的代数和.杂质半导体中的多数载流子是由( D)产生的;少数载流子是由(C )产生的。

A.  空穴电流    B.   电子电流    C.   本征激发      D.掺杂,

10.   使PN结正偏的方法是:将P区接( B)电位,N区接(A )电位。正偏时PN结处于导通状态,反偏时PN结处于截止状态。

A.   低      B.

11.   空间电荷区不存在载流子,只有不能移动的离子,其中靠近P区的是(A )离子,靠近N区的是( B)离子。所建电场有利于少子的漂移运动,阻碍多子的扩散运动。

A.  负       B.正   

12.   二极管的反向击穿分为(A )击穿和(B )击穿。击穿后如果反向电流不超过允许值,则二极管只是(C )击穿,不致损坏。否则因功耗太大使管子过热损坏时称为( D)击穿。

A.   齐纳      B. 雪崩    C.  电     D.  热

13.   稳压二极管工作时,其反向电流必须在( A)范围内,才能起稳压作用,并且不会因热击穿而损坏。

A.   IwminIWmax       B. VwminVWmax

14.   发光二极管内部仍是一个( A),当外加适当的正向电压时,N区的自由电子和P区的空穴在扩散过程中复合,释放的能量以光的形式表现出来。

A.   PN结       B.P型半导体    C.N型半导体

15.   反向电压引起反向电流据增时的PN结处于( B)状态,该状态是( A)二极管的工作状态,是普通二极管的故障状态。

A.   稳压       B.击穿      C.普通

16.   理想二极管正向导通时,其压降为(A V,反向截止时,其中电流为(A A,这两种状态相当于一个开关。

A.   0       B.+1     C.   -1

17.   发光二极管按其发光效率的高低可分为(C )型、(B )型和(A )型。

A.   普通       B.高亮度        C.超高亮度

18.   用万用表R×100Ω档和R×1kΩ档测试一个正常二极管时,指针偏转角很大,这时可判定黑表笔接的是二极管(B )极,红表笔接的是二极管(A )极。

A.   负(阴)       B.正(阳)

19.   面接触型二极管适用于(B )

A.   高频检波电路       B.工频整流电路

20.   N型半导体中,掺入大量的三价杂质可以使其变为(B )半导体。

A.    N        B.     P